由山東天岳先進材料科技有限公司和山東大學研究的碳化硅晶體制備關鍵技術包含了晶體生長裝備、籽晶成核控制、釩雜質緩釋、化學機械拋光等十多項核心技術，生長出了低微管缺陷密度的半絕緣型和N型碳化硅單晶，微管密度小于0.5個/cm2，半絕緣單晶電阻率大于1012Ω.cm，并加工出適合器件應用的襯底，研制出低成本、高可靠性的單晶生長設備，實現(xiàn)了碳化硅單晶襯底產業(yè)化，該項關鍵技術知識產權突破了外國技術封鎖和產品壟斷，使我國成為目前世界上少數(shù)幾個掌握碳化硅晶體制備技術的國家之一。該關鍵技術申請國內發(fā)明專利10余項，形成了有效的知識產權布局，曾獲2014年山東省技術發(fā)明一等獎。該關鍵技術已形成了規(guī)模化生產能力，近五年來取得直接經濟效益達5億元，創(chuàng)造間接經濟效益達30億多元。

[責任編輯：楊凡、王娜]

想爆料？請登錄《陽光連線》（ https://minsheng.iqilu.com/）、撥打新聞熱線0531-66661234或96678，或登錄齊魯網官方微博（@齊魯網）提供新聞線索。齊魯網廣告熱線0531-81695052，誠邀合作伙伴。